Материаловедение функциональных материалов наноэлектроники: программа бакалавриата Университета МИСИС

Студенты получают глубокие знания в области материаловедения, изучая структуру, свойства и методы синтеза различных материалов, включая полупроводники, сверхпроводники, магнитные и оптические материалы. Особое внимание уделяется функциональным материалам, которые находят широкое применение в наноэлектронике, фотонике, сенсорике и других высокотехнологичных отраслях. Обучающиеся осваивают передовые методы исследования материалов, методы моделирования и проектирования новых материалов с заданными характеристиками. Программа обеспечивает подготовку специалистов, способных решать комплексные задачи по разработке, производству и применению функциональных материалов, что открывает широкие возможности для дальнейшего профессионального развития в таких областях, как электроника, оптика, энергетика, машиностроение и многие другие.

Студенты изучают: 

• Дифференциальное исчисление
• Интегральное исчисление
• Ряды и дифференциальное исчисление
• Механика, молекулярная физика, термодинамика
• Физический лабораторный практикум Часть I
• Электричество и магнетизм
• Физический лабораторный практикум Часть II
• Оптика. Атомная и ядерная физика
• Физический лабораторный практикум Часть III
• Общая химия
• Химия элементов и соединений
• Экология
• Информационные технологии
• Информационные технологии и основы алгоритмизации
• Объектно-ориентированное программирование
• Численные методы и пакеты прикладных программ
• Физическая химия
• Химическая термодинамика
• Кинетика
• Кристаллофизика
• Кристаллография
• Физические свойства кристаллов
• Аналитическая геометрия и алгебра
• Математическая статистика и анализ данных
• Органическая химия
• Статистическая физика
• Методы математической физики
• Физика полупроводников
• Электронная структура твердых тел
• Электронные и оптические свойства твердых тел
• Квантовая механика
• Теория поверхностных явлений.

Профессиональный цикл включает в себя следующие дисциплины:

• Метрология, стандартизация и технические измерения
• Теоретические основы электротехники
• Электротехника
• Электроника
• Материаловедение полупроводников и диэлектриков
• Химическиая связь, фазовые состояния, структурные особенности и свойства твердых тел
• Примеси в полупроводниках и диэлектриках, поверхностные явления, легирование полупроводников и диэлектриков
• Фазовые переходы, кристаллизация, распадпересыщенных твердых растворов
• Прикладная механика
• Твердотельная электроника
• Основы структурного анализа
• Физика диэлектриков
• Методы исследования структур
• Атомная и электронная структура поверхности и межфазных границ
• Защита интелектуальной собственности и патентоведение
• Аттестация и сертификация изделий полупроводниковой техники
• Технология объемных полупроводников и диэлектриков
• Технология объемных монокристаллов полупорводников и диэлектриков
• Технология тонких пленок полупроводников и диэлектриков
• Технология тонких пленок металлов, полупроводников и диэлектриков
• Квантовая и оптическая электроника
• Материалы квантовой и оптической электроники
• Математические методы моделирования технологических процессов
• Математические методы моделирования физических процессов
• Спектроскопические и зондовые методы исследований
• Физика взаимодействия частиц и излучений с веществом
• Фазовые и структурные превращения
• Основы легирования материалов электронной техники
• Методы исследования физических свойств полупроводниковых структур
• Материаловедение приборных структур наноэлектроники.