Магистратура "Полупроводниковая электроника на основе широкозонных материалов" в Университета МИСИС, Москва

Глобальный спрос на инженеров в области полупроводниковой электроники увеличивается в связи с созданием нового поколения приборов специального назначения, таких как: супербыстрые зарядки для телефонов и электромобилей, двигатели прямого действия, дисплеи с высоким разрешением, фотоприемники чувствительные к искусственному свету, супермощные транзисторы и светодиоды. Магистерская программа готовит специалистов в области разработки, интеграции и сопровождения технологических процессов производства полупроводниковых приборов и устройств на широкозонных материалах: GaN, Ga2O3, синтетическом алмазе, перовскитах.

Магистерская программа подойдет выпускникам бакалавриата направлений в области электроники и микросистемной техники, а также специалистам, работающим на профильных предприятиях и желающим углубить свои профессиональные знания в узкоспециализированной области создания и применения полупроводниковых электронных приборов на широкозонных материалах.

Ключевые дисциплины:

• Методы математического моделирования
• Перспективные технологии и материалы для поиска новых физических эффектов
• Методы характеризации полупроводниковых материалов и структур
• Компьютерные технологии в научных исследованиях
• Проектирование и технология электронной компонентной базы
• Радиационно-технологические процессы в электронике.

Дисциплины по выбору:

• Физика наноструктур
• Приборные структуры на широкозонных полупроводниках
• Технология наногетероструктур
• Микросхемотехника
• Приборные структуры на некристаллических материалах
• Силовые полупроводниковые приборы
• Физика СВЧ полупроводниковых приборов
• Перспективная фотовольтаика
• Электронные и оптические свойства широкозонных соединений А2В6
• Основы надежности элементной базы электроники в условиях ионизирующего излучения космического пространства
• Радиационно-технологические процессы в электронике
• Оборудование для производства наногетероструктурных солнечных элементов.