1. НИТУ МИСИС
  2. Бакалавриат и специалитет НИТУ МИСИС

Университет МИСИС Электроника и наноэлектроника (11.03.04)

Материалы и технологии магнитоэлектроники: программа бакалавриата Университета МИСИС

Поделиться с друзьями

Университет МИСИС: проходной балл на программу "Материалы и технологии магнитоэлектроники"

Бюджет

Статистика за 2023 год

Проходной балл
Средний проходной балл
Проверить шансы

ЕГЭ (по приоритетам)

Математика 

Русский язык 

Информатика и ИКТ 

или другие
1 вариант

Детали

Факультет
Город
Москва
Язык
Русский
Уровень образования
Бакалавриат
Формат обучения
Форма обучения
Квалификация
Бакалавр

Когда проводится профилизация

Конкурс проводится на направление (специальность), распределение по профилю (специализации) происходит в момент написания заявления о приеме по желанию поступившего

О программе

Студенты изучают передовые технологии получения и исследования наноструктурированных магнитных материалов, принципы работы и конструирование магнитных сенсоров, устройств записи и хранения информации, а также методы моделирования и проектирования магнитоэлектронных компонентов. Особое внимание уделяется практическому применению современных достижений в области магнитоэлектроники в приборостроении, информационно-коммуникационных технологиях, робототехнике и других высокотехнологичных отраслях. Выпускники программы обладают глубокими знаниями в области материаловедения, электроники, физики твердого тела и готовы к решению сложных инженерных задач на передовых предприятиях и в исследовательских организациях.

Общепрофессиональный цикл дисциплин:

  • Информационные технологии
  • Инженерная и компьютерная графика
  • Безопасность жизнедеятельности
  • Теоретические основы электротехники
  • Метрология, стандартизация и технические измерения
  • Материалы электронной техники
  • Физика конденсированного состояния
  • Физические основы электроники
  • Наноэлектроника
  • Схемотехника
  • Основы проектирования электронной компонентной базы
  • Основы технологии электронной компонентной базы.

Содержание дисциплин профиля:

  • Общие сведения об устройстве веществ
  • Виды связей, полярные и неполярные молекулы
  • Построение и дефекты твердых тел
  • Классификация веществ по электрическим свойствам
  • Классификация веществ по магнитным свойствам
  • Электромагнитные, механические, тепловые и физико-химические характеристики материалов
  • Поляризация диэлектриков
  • Электропроводность диэлектриков
  • Потери энергии в диэлектриках
  • Пробой диэлектриков
  • Газообразные диэлектрики
  • Жидкие диэлектрики
  • Твердые диэлектрики
  • Общие сведения о полупроводниках
  • Влияние внешних факторов на электропроводность полупроводников
  • Классификация и основные свойства проводниковых материалов
  • Материалы высокой проводимости
  • Сплавы высокого сопротивления
  • Общие сведения о магнитных свойствах материалов
  • Магнитомягкие материалы
  • Магнитные материалы специализированного назначения
  • Ферриты
  • Магнитодиэлектрики
  • Магнитотвердые материалы.

Преимущества обучения по программе «Материалы и технологии магнитоэлектроники» в вузе: НИТУ МИСИС

Дополнительные баллы при поступлении можно получить за победу или призовое место в различных олимпиадах и конкурсах, в частности:

  • Победитель конкурса «3D БУМ» - 5 баллов,
  • Призер конкурса «3D БУМ» - 3 балла,
  • Победитель Школьной лиги Международного инженерного чемпионата «CASE-IN» - 5 баллов,
  • Призер Школьной лиги Международного инженерного чемпионата «CASE-IN» - 3 балла,
  • Победитель Всероссийского конкурса научно-технологических проектов «Большие вызовы» - 10 баллов,
  • Призер Всероссийского конкурса научно-технологических проектов «Большие вызовы» - 7 баллов,
  • Победитель открытых городских научно-практических конференций «Старт в медицину», «Инженеры будущего» или «Наука для жизни» - 10 баллов,
  • Призер открытых городских научно-практических конференций «Старт в медицину», «Инженеры будущего» или «Наука для жизни» - 7 баллов.

Суммарно за все индивидуальные достижения начисляется не более 10 баллов. С актуальным перечнем индивидуальных достижений и порядком их учета можно ознакомиться на сайте НИТУ «МИСиС».