1. ИНМ НИТУ МИСИС
  2. Магистратура ИНМ НИТУ МИСИС
  3. Магистратура "Полупроводниковая электроника на основе широкозонных материалов" ИНМ НИТУ МИСИС

Университет МИСИС Институт новых материалов Электроника и наноэлектроника (11.04.04)

Магистратура "Полупроводниковая электроника на основе широкозонных материалов" в Института новых материалов Университета МИСИС, Москва

  • 8 бюджет. мест
  • 2 года обучения
Еще

Экзамены при поступлении на программу магистратуры 11.04.04 "Полупроводниковая электроника на основе широкозонных материалов" в Институте новых материалов Университета МИСИС

Бюджет

Экзамены в вузе

Тестирование по направлению
1 вариант

Детали

Факультет
Город
Язык
Русский
Уровень образования
Магистратура
Форма обучения
Квалификация
Магистр

Преимущества обучения по программе «Полупроводниковая электроника на основе широкозонных материалов» в вузе: ИНМ НИТУ МИСИС

Глобальный спрос на инженеров в области полупроводниковой электроники увеличивается в связи с созданием нового поколения приборов специального назначения, таких как: супербыстрые зарядки для телефонов и электромобилей, двигатели прямого действия, дисплеи с высоким разрешением, фотоприемники чувствительные к искусственному свету, супермощные транзисторы и светодиоды. Магистерская программа готовит специалистов в области разработки, интеграции и сопровождения технологических процессов производства полупроводниковых приборов и устройств на широкозонных материалах: GaN, Ga2O3, синтетическом алмазе, перовскитах. Уже во время обучения студенты трудоустраиваются на предприятия бизнес-партнеров или в лаборатории университета. Удобный формат занятий в вечернее время позволяет совмещать рабочие и учебные проекты.