Где и кем работать, какая зарплата после магистратуры Института новых материалов Университета МИСИС по программе "Полупроводниковая электроника на основе широкозонных материалов"

Отечественные производители полупроводниковых электронных приборов специального назначения отстают от западных предприятий и особо нуждаются в специалистах нового поколения, которые смогут создавать мощные и супермощные транзисторы, силовые выпрямители, структурированные и неструктурированные светодиоды для нового поколения дисплеев, солнечно-слепые фотоприемники, приборы, связанные с электромобилями, электропоездами, распределительными системами и коммутирующими сетями высокого и низкого напряжения. Одна из основных задач, стоящих перед ученым в области разработки, — уменьшение размеров устройств без потери их эффективности. Миниатюризация светодиодов позволит создавать дисплеи высокой плотности и энергоэффективности. Например, для повышения разрешение экранов, применяемых в VR технологиях. Уменьшение транзисторов, в свою очередь, позволит разместить большее количество компонент на подложке, что позволит снизить удельную стоимость устройства.

Специалисты занимаются разработками:

• радиационно-стойких фотоприемников для калориметрических детекторов эксперимента LHCb, ЦЕРН;
• технологий и анализом приборных структур на основе широкозонных соединений;
• детекторов ядерных частиц на основе высокочистых эпитаксиальных слоев GaAs и алмаза;
• источников питания на основе преобразования ядерной энергии;
• оптоэлектронных приборов на основе перовскитных материалов;
• радиационных отбраковок и исследованием радиационной стойкости полупроводниковых структур;
• оптоволоконных сенсоров.