Университет МИСИС: проходной балл на программу "Микроэлектроника и полупроводниковые приборы"

Бюджет

Статистика за год

Проходной балл
Проверить шансы

ЕГЭ (по приоритетам)

Русский язык 

Физика 

Математика 

или другие
1 вариант

Детали

Город
Москва
Язык
Русский
Уровень образования
Бакалавриат
Формат обучения
Форма обучения
Квалификация
Бакалавр

Когда проводится профилизация

Конкурс проводится на направление (специальность), распределение по профилю (специализации) происходит после 2-го курса

Студенты изучают физические принципы работы диодов, транзисторов, СВЧ-устройств, элементов силовой электроники и радиационно-стойких компонентов. Основное внимание уделяется технологическим процессам производства изделий микроэлектроники, включая методы математического анализа, моделирования и статистической оптимизации для решения практических инженерных задач.

Обучение ориентировано на работу с системами автоматизированного проектирования (САПР) микроэлектроники, что позволяет моделировать характеристики приборов и отрабатывать технологические режимы до запуска в производство. Выпускники способны сопровождать полный цикл создания полупроводниковых компонентов — от расчета параметров до реализации на предприятии электронной промышленности. Они смогут участвовать в стратегических проектах, связанных с модернизацией национальной инфраструктуры и импортозамещением в области высокотехнологичных электронных компонентов.

Профессиональные дисциплины программы:

  • Технические измерения и стандарты электронной компонентной базы
  • Биполярные полупроводниковые приборы
  • Электронные и оптические свойства полупроводников
  • Полевые полупроводниковые приборы
  • Теоретические модели процессов микро-и наноэлектроники
  • Физика импульсного отжига
  • Вакуумная и плазменная электроника
  • Радиационные эффекты в полупроводниковых материалах и приборах
  • Приборы квантовой и оптической электроники
  • Основы технологии электронной компонентной базы
  • Наноэлектроника полупроводниковых приборов и устройств
  • Методы характеризации полупроводниковых материалов и структур
  • Моделирование и оптимизация полупроводниковых компонентов
  • Силовые полупроводниковые приборы
  • Надежность и радиационная стойкость изделий электроники
  • Микросхемотехника
  • Приборные структуры на широкозонных полупроводниках
  • Организация научной деятельности
  • Сверхвысокочастотные полупроводниковые приборы
  • Компьютерные технологии проектирования электронной компонентной базы
  • Технология электронной компонентной базы
  • Радиационно-технологические процессы в электронике
  • Дефекты в полупроводниковых приборах на широкозонных материалах
  • Приборные структуры на некристаллических материалах
  • Перспективная фотовольтаика.

Преимущества обучения по программе «Микроэлектроника и полупроводниковые приборы» в вузе: НИТУ МИСИС

  • Экспертный преподавательский состав: лекции и семинары для студентов ведут специалисты не только НИТУ МИСИС, но и сотрудники АО «НИИП», ИПТМ РАН, АО «НПП «Квант», АО «НПП Пульсар», а также Центра инфраструктурного взаимодействия и партнерства MegaScience.
  • Направления исследовательской работы: обучающиеся занимаются изучением новых материалов и технологий преобразования солнечной энергии, созданием автономных источников питания на базе бетавольтаических элементов, разработкой кремниевых и арсенид-галлиевых детекторов ядерных частиц, а также дискретных полупроводниковых приборов специального назначения.
  • Варианты профессионального развития: завершившие программу могут либо трудоустроиться на производственные предприятия и в организации, занимающиеся выпуском и проектированием электронной компонентной базы, либо продолжить обучение в магистратуре по профильной специальности.