1. НИТУ МИСИС
  2. Бакалавриат и специалитет НИТУ МИСИС

Университет МИСИС Электроника и наноэлектроника (11.03.04)

Полупроводниковые приборы микро- и наноэлектроники: программа бакалавриата Университета МИСИС

Поделиться с друзьями

Университет МИСИС: проходной балл на программу "Полупроводниковые приборы микро- и наноэлектроники"

Бюджет

Статистика за 2026 год

Проходной балл
Проверить шансы

ЕГЭ (по приоритетам)

Русский язык 

Физика 

Математика 

или другие
1 вариант

Подберем профессию, программу и вуз

Пройди тест и получи персональный список профессий, программ и вузов.

1 / 21

Выбери свой пол

Мужской
Женский
Продолжить

Детали

Город
Москва
Язык
Русский
Уровень образования
Бакалавриат
Формат обучения
Форма обучения
Квалификация
Бакалавр

Когда проводится профилизация

Конкурс проводится на направление (специальность), распределение по профилю (специализации) происходит в момент написания заявления о приеме по желанию поступившего

Программа предоставляет студентам глубокое понимание основных принципов и технологий, связанных с разработкой и производством полупроводниковых приборов. В рамках этой программы студенты изучают широкий спектр тем, включая физику полупроводников, основы микро- и наноэлектроники, проектирование и моделирование полупроводниковых устройств, методы и техники их изготовления, а также анализ и испытания полупроводниковых приборов. Студенты также могут погрузиться в изучение передовых областей, таких как нанотехнологии, фотоника, интегральные схемы и многие другие. Цель программы заключается в том, чтобы подготовить студентов к работе в индустрии полупроводниковых приборов и дать им комплексные навыки и знания, необходимые для успешной карьеры в области микро- и наноэлектроники.

Основные профессиональные дисциплины:

  • Биполярные приборы
  • Вакуумная и плазменная электроника
  • Моделирование технологических процессов наноэлектроники
  • Наноэлектроника
  • Основы проектирования электронной компонентной базы
  • Пакеты прикладных программ
  • Основы радиационной стойкости приборов и изделий электронной техники
  • Основы радиационно-технологических процессов в электронике
  • Основы технологии электронной компонентной базы
  • Полевые приборы
  • Приборы квантовой и оптической электроники
  • СВЧ п/п приборы
  • Силовые полупроводниковые приборы
  • Схемотехника
  • Электронная структура твердых тел
  • Электронные и оптические свойства твердых тел.

Преимущества обучения по программе «Полупроводниковые приборы микро- и наноэлектроники» в вузе: НИТУ МИСИС

Базовое высшее образование. 

Бюджетные места установлены в рамках направления 11.03.04 Электроника и наноэлектроника в целом. Прием на направление ведётся без распределения по образовательным траекториям. Выбор трека происходит на втором курсе. Количество мест по трекам в рамках направления подготовки заранее не устанавливается.

Дополнительные баллы при поступлении можно получить за победу или призовое место в различных олимпиадах и конкурсах, в частности:

  • Победитель конкурса «3D БУМ» - 5 баллов,
  • Призер конкурса «3D БУМ» - 3 балла,
  • Победитель Школьной лиги Международного инженерного чемпионата «CASE-IN» - 5 баллов,
  • Призер Школьной лиги Международного инженерного чемпионата «CASE-IN» - 3 балла,
  • Победитель Всероссийского конкурса научно-технологических проектов «Большие вызовы» - 10 баллов,
  • Призер Всероссийского конкурса научно-технологических проектов «Большие вызовы» - 7 баллов,
  • Победитель открытых городских научно-практических конференций «Старт в медицину», «Инженеры будущего» или «Наука для жизни» - 10 баллов,
  • Призер открытых городских научно-практических конференций «Старт в медицину», «Инженеры будущего» или «Наука для жизни» - 7 баллов.

Суммарно за все индивидуальные достижения начисляется не более 10 баллов. С актуальным перечнем индивидуальных достижений и порядком их учета можно ознакомиться на сайте НИТУ «МИСиС».

Задать вопрос вузу

Остались вопросы? Задайте вопрос, и представитель вуза с радостью ответит вам.